Химия онлайн
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ

ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ (от англ. planar-плоский), совокупность способов изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем путем формирования их структур только с одной стороны пластины (подложки), вырезанной из монокристалла. П.т.-основа микроэлектроники, методы П. т. используют также для изготовления др. твердотельных приборов и устройств (напр., лазеры).

П. т. основывается на создании в приповерхностном слое подложки областей с разложением типами проводимости или с разными концентрациями примеси одного вида, в совокупности образующих структуру полупроводникового прибора или интегральной схемы. Преимуществ. распространение в качестве полупроводникового материала для подложек в П. т. получил монокристаллич. Si. В ряде случаев используют сапфир, на поверхность к-рого наращивают гетероэпитак-сиальный слой (см. Эпитаксия)кремния п- или p-типа проводимости толщиной ок. 1 мкм. Области структур создаются локальным введением в подложку примесей (посредством диффузии из газовой фазы или ионной имплантации), осуществляемым через маску (обычно из пленки SiO2), формируемую при помощи фотолитографии. Последовательно проводя процессы окисления (создание пленки SiO2), фотолитографии (образование маски) и введения примесей, можно получить легир. область любой требуемой конфигурации, а также внутри области с одним типом проводимости (уровнем концентрации примеси) создать др. область с др. типом проводимости. Наличие на одной стороне пластины выходов всех областей позволяет осуществить их коммутацию в соответствии с заданной схемой при помощи пленочных металлич. проводников, формируемых также с помощью методов фотолитографии.

П. т. обеспечивает возможность одноврем. изготовления в едином технологический процессе большого числа (до неск. сотен и даже тысяч) идентичных дискретных полупроводниковых приборов или интегральных схем на одной пластине. Групповая обработка обеспечивает хорошую воспроизводимость параметров приборов и высокую производительность при сравнительно низкой стоимости изделий.

Пример изготовления биполярного n-р-n-транзистора методами П. т. представлен на рисунке. На подложке из монокристаллич. Si окислением получают маскирующий слой SiO2. В этом слое с помощью фотолитографии формируют окна для введения акцепторной примеси (В), в результате чего образуется базовая область транзистора (p-Si). Затем пластину снова окисляют и во вновь образованной пленке SiO2 повторной фотолитографией создают окна для формирования путем введения донорной примеси (P) эмиттерной области и контакта к коллекторной области (n + -Si). В результате цикла окисление - фотолитография вскрываются контактные окна к областям эмиттера и коллектора. На подготовленную таким образом пластину наносят (напылением вакуумным, пиролизом летучих метал-лоорг. соед. и др. способами) слой металла (чаще всего Al), из к-рого посредством фотолитографии формируют контактные площадки для присоединения металлич. выводов к соответствующим областям транзистора.

Химическая энциклопедия Советская энциклопедия 3549-2.jpg

T. обр., осн. особенность П. т.-повторяемость однотипных операций; типовой набор операций (окисление, фотолитография и легирование), чередуясь, повторяется неск. раз. Каждая такая последовательность операций (блок) формирует определенную часть структуры: базовую или эмиттерную область, слой разводки и т.д. Изменяя число блоков, можно изготовлять любые приборы-от простых диодов (3 блока) до сложных интегральных схем (8-12 блоков). При этом осн. часть операций часто остается неизменной, а меняются только технологический режимы и шаблоны, используемые при фотолитографии.

Подложки (пластины) получают разрезкой монокристаллов Si (или др. материала) на пластины, к-рые затем шлифуют, подвергают травлению и полируют (см. Полирование), чтобы получить поверхность без наруш. слоя. Обработанные пластины тщательно очищают хим. или плазменным (сухим) способом. Для хим. очистки применяют смеси сильных окислителей (напр., HNO3, H2O2) с к-тами (напр., с H2SO4), а также водный р-р NH3. После хим. очистки пластины промывают в деионизир. воде и сушат в центрифуге. Отмывка-одна из наиб. часто повторяющихся операций П. т., при этом чистота воды имеет решающее значение. Сухая очистка в кислородной плазме применяется в основном для удаления с пов-сти пластин оставшегося после фотолитографии фоторезиста. Плазменные процессы все шире используются в П. т. для очистки, травления, а также осаждения металлов и диэлектриков.

Очищенные пластины с выращенным на них эпитаксиаль-ным слоем Si или без него подвергают термич. обработке, включающей окисление, диффузию примесей или ионное легирование, отжиг пластины (в том случае, если примеси вводились ионным легированием), пиролитич. осаждение тонких пленок или их химическое осаждение из газовой фазы, геттерирование. При реализации этих процессов осуществляется формирование активных областей и др. компонентов планарных структур. Вместе с тем термич. обработка приводит к возникновению мех. напряжений в пластине, вызывает образование дефектов, перераспределение примесей в объеме пластины и в приповерхностном слое. Чтобы уменьшить отрицат. последствия, термич. обработку проводят при сравнительно невысоких т-рах (ниже 900 0C), а для ускорения процесса применяют разл. способы, напр, окисление Si проводят не в сухой, а во влажной среде при повыш. давлении. Для введения примесей все чаще вместо диффузии применяют ионное легирование (ионную имплантацию), к-рое по сравнению с диффузией обладает рядом преимуществ - универсальностью (возможность вводить практически любые в-ва в любую подложку), высокой воспроизводимостью, возможностью управлять профилем распределения примеси и изменять концентрацию вводимых примесей в широких пределах.

Пиролитически или хим. осаждением получают слои SiO2 (напр., пиролизом SiH4 в присутствии O2), Si3N4 (взаимод. SiH4 или SiCl4 с NH3) и поликристаллич. Si (напр., пиролизом SiH4 в восстановит. среде)-наиб. распространенного материала для формирования затворов МОП-транзисторов (металл-оксид-полупроводник), резисторов, эмиттеров биполярных транзисторов, для изоляции компонентов интегральных схем.

По мере развития П. т. все большее значение приобретает геттерирование, сущность к-рого заключается в создании вне активной области структуры т. наз. стока, или геттера,-области, где растворимость загрязняющих, быстро диффундирующих, рекомбинационно-активных примесей (Au, Cu, Fe) намного выше, чем в др. областях. В результате возникает градиент концентрации примесей, к-рый обусловливает их диффузию в сторону стока. Чаще всего сток создают на обратной стороне подложки, напр. диффузией P с высокой концентрацией, мех. нарушением пов-сти подложки, легированием тяжелыми ионами с целью аморфи-зации Si, рекристаллизацией приповерхностного слоя Si под действием лазерного излучения. Геттерирование обычно проводят в конце технологический цикла или повторяют его неоднократно.

Фотолитография включает след. стадии: нанесение слоя фоторезиста на пленку SiO2, покрывающую кремниевую пластину; экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора; проявление слоя фоторезиста; получение оксидной маски травлением пленки SiO2 через окна в проявленном фоторезисте; удаление фоторезиста. Используют фотолитографию контактную (фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекционную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю поверхность пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом (шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию.

Для создания контактов вначале на пов-сти пластины (в маскирующем слое SiO2) формируют контактные окна, через к-рые затем напыляют металл, при этом образуются контактные площадки на периферии и соединит. дорожки между площадками и окнами; затем металл вжигают в пластины при 400-4500C в атмосфере H2.

По окончании формирования приборных структур пластины разделяют на отдельные кристаллы, разрезая их алмазным диском (наиб. часто) или др. способами. Кристаллы монтируют в корпус или на кристаллодержатель, после чего их контактные площадки соединяют (обычно ультразвуковой сваркой) с внеш. выводами на корпусе (кристалло-держателе) тонкими (10-30 мкм) проволочками из Al или Au.

Рассмотренные выше операции составляют основу П. т. дискретных полупроводниковых приборов. При создании интегральных схем возникают дополнит. проблемы, связанные с размещением большого числа взаимосвязанных компонентов на одном кристалле с огранич. площадью пов-сти. Для изоляции компонентов применяют два осн. способа: с помощью p-n-перехода, сформированного между компонентами, или слоя диэлектрика (SiO2); используют комбинацию этих способов.

П. т. разработана в 1959 в США. К кон. 80-х гг. она стала осн. технологический инструментом в произ-ве полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Лит.: Мазель Е.З., Пресс Ф.П., Планарная технология кремниевых приборов, M., 1974; Малышева И. А., Технология производства микроэлектронных устройств, M., 1980; Пичугин И. Г., Таиров Ю.М., Технология полупроводниковых приборов, M., 1984; Технология СБИС, пер. с англ., кн. 1-2, M., 1986; Карбань В. И., Борзаков Ю. И., Обработка монокристаллов в микроэлектронике, M., 1988. Ф. П. Пресс.

 

Полезные интернет ресурсы:

Health-News.ru Большая медицинская энциклопедия

Health-News.ru Лекарства Фармакологический справочник

Educationspb.ru рефераты справочная информация для учащихся учебники

Gendna.ru Генетика, методы генетики, медицинская генетика

Оptbazastroymat.ru Стройсловарь строительство ремонт полезные советы

YFermer.ru Фермерское хозяйство, сельское хозяйство

 

источник:  "Химическая энциклопедия", изд. "Советская энциклопедия", М., 1988


просмотров: 1324
Search All Amazon* UK* DE* FR* JP* CA* CN* IT* ES* IN* BR* MX
Search All Ebay* AU* AT* BE* CA* FR* DE* IN* IE* IT* MY* NL* PL* SG* ES* CH* UK*
Nu-Calgon 4050-06 A/C Easy Seal Leak Sealant 2.5 oz can

$21.99
End Date: Saturday Oct-13-2018 13:47:30 PDT
Buy It Now for only: $21.99
|
Aluminum Cleaner Brightener 128 ounces (1 Gallon)

$6.99
End Date: Sunday Sep-23-2018 6:27:38 PDT
Buy It Now for only: $6.99
|
Magic Goo Gone Citrus Solvent 8 oz Bottle 2087 Removes Gum Grease and Tar

$41.95
End Date: Thursday Sep-20-2018 10:45:08 PDT
Buy It Now for only: $41.95
|
Star Brite 81900 Fabric Waterproofing w/ PTEF 1 Gallon Tent Boat Top Cover

$72.00
End Date: Friday Sep-21-2018 13:38:10 PDT
Buy It Now for only: $72.00
|
Diversey SIGNATURE UHS Floor Finish 5104950 5gal Box Ultra High Speed Finsh

$28.95
End Date: Thursday Sep-20-2018 10:47:16 PDT
Buy It Now for only: $28.95
|
Starbrite Aluminum Cleaner Restorer 64 fl oz 87764 Pontoon Boat Canoe Cleaning

$13.29
End Date: Tuesday Sep-25-2018 9:55:27 PDT
Buy It Now for only: $13.29
|
ANIMAL QUARTERS CREOLINA Odor Remover Coal Tar Deodorant 16oz.Bottles 2-Pack

$19.89
End Date: Wednesday Oct-10-2018 11:34:46 PDT
Buy It Now for only: $19.89
|
Gibbs Brand Lubricant, Penetrant, Water Repellent, Fights Corrosion 12 oz Spray

$6.95
End Date: Friday Oct-12-2018 17:08:09 PDT
Buy It Now for only: $6.95
|
Search Results from AllSoft: новости

Сан-Франциско ждет! Вы — Маркус, блестящий хакер, объединяетесь с DedSec, чтобы противостоять ctOS 2.0, системе глобального контроля. Сокрушите ее, это будет взлом века!
Первым покупателям — скидка 250 рублей! Успей купить первым! 


подробнее»
181528

PrintStore Pro — программа для учета расходных материалов и оборудования. Просчитывает запас каждого картриджа в каждом принтере и помогает сформировать заказ на следующий период. Поддерживает учет перезаправок. Учитывает при всех операциях совместимость принтеров и картриджей. Хранит историю всех действий с картриджами и принтерами, позволяет создавать множество отчетов.


подробнее»
123795

Fax Voip T38 Fax & Voice — факс и автоответчик для вашей SIP/H.323/ISDN сети. Виртуальные голосовые факс модемы. Поддержка T.38, Fax поверх G.711 и CAPI факс. Одновременные SIP регистрации, маршрутизация вызовов, цветные факсы. Совместимость со стандартными факс программами. Fax Voip принтер, Консоль Fax Voip для управления факсами. Сохранение входящих факсов в TIFF/PDF/SFF файлы. Маршрутизация входящих факсов: E-mail, Сохранить в папке, Печать. Факс по запросу. Отправка факса через e-mail (Почта-на-факс) и получение факсов на e-mail (Факс-на-почту).


подробнее»
139103

Fax Voip T38 Fax & Voice — факс и автоответчик для вашей SIP/H.323/ISDN сети. Виртуальные голосовые факс модемы. Поддержка T.38, Fax поверх G.711 и CAPI факс. Одновременные SIP регистрации, маршрутизация вызовов, цветные факсы. Совместимость со стандартными факс программами. Fax Voip принтер, Консоль Fax Voip для управления факсами. Сохранение входящих факсов в TIFF/PDF/SFF файлы. Маршрутизация входящих факсов: E-mail, Сохранить в папке, Печать. Факс по запросу. Отправка факса через e-mail (Почта-на-факс) и получение факсов на e-mail (Факс-на-почту).


подробнее»
141754

Retouch Pilot — программа для удаления изъянов с фотографий, таких как царапины, мелкие пятна и другие мелкие дефекты, существующие на фото или полученные при сканировании. Вы можете удалять целые объекты, попавшие случайно в кадр, а также инструментом пластика изменять форму и пропорции. Программа позволяет ретушировать изъяны кожи - пятнышки, морщинки и др..


подробнее»
26516

R-Studio — эффективное программное обеспечение, позволяющее восстанавливать данные с жестких дисков, CD, DVD, дискет, USB дисков, ZIP дисков и устройств флеш-памяти.


подробнее»
88115

Сборка электронных каталогов автозапчастей включает в себя грузовые автомобили Европы и Китая. В сборку включена программа Tecdoc, позволяющая подобрать не оригинальные запчасти.


подробнее»
183206

Sound Pilot озвучивает клавиатуру. Каждое прикосновение к клавиатуре рождает звук, который разнообразит процесс набора текста, развлекает и снижает утомляемость.


подробнее»
78205
Search Results from «Озон» Химия
 
Н. А. Субботина, В. А. Алешин, К. О. Знаменков Демонстрационные опыты по неорганической химии
Демонстрационные опыты по неорганической химии
Представлены подробные рекомендации по подготовке и выполнению опытов, демонстрирующих основные физико-химические закономерности неорганической химии, свойства простых веществ и соединений элементов. Дано описание основных минералов для каждого из изучаемых элементов. Приведены полезные справочные данные, характеризующие физические и химические свойства простых веществ и неорганических соединений разных классов.
Пособие составляет учебно-методический комплект с трехтомным учебником "Неорганическая химия", "Практикумом по неорганической химии" и "Сборником задач по неорганической химии".

Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по химическим специальностям. Может быть полезно преподавателям химии учреждений высшего и среднего профессионального образования....

Цена:
979 руб

О. А. Реутов, А. Л. Курц, К. П. Бутин Органическая химия. В 4 частях. Часть 4
Органическая химия. В 4 частях. Часть 4

В учебнике систематически описаны органические соединения по классам, а также изложены основные теоретические положения органической химии. Строение и свойства органических соединений рассмотрены с позиций как теории электронных смещений, так и теории молекулярных орбиталей.
В четвертую часть вошли главы, посвященные химии непереходных металлов, а также некоторым типам органических реакций и металлокомплексному катализу. Кратко изложены основы промышленного органического синтеза и планирование многостадийных синтезов.

Для студентов университетов и химико-технологических вузов, аспирантов и специалистов.

...

Цена:
679 руб

Н. А. Титаева Ядерная геохимия
Ядерная геохимия
В учебнике по возможности полно изложены основные вопросы, связанные с нахождением и поведением различных типов радионуклидов естественного и антропогенного происхождения в земном веществе. Большое внимание уделено экологической геохимии радионуклидов. Рассматриваются вопросы геохронологии и изотопной систематики с использованием радиогенных стабильных и радиоактивных изотопов. Излагаются также вопросы воздействия радиоактивного излучения на геологическую среду, в том числе проблемы земного тепла. Приведены принципы измерения радионуклидов и использования полевых радиометрических методов. Основному тексту предпосланы разделы, посвященные физическим и физико-химическим особенностям радионуклидов.

Книга написана доступным языком и предназначена для студентов, аспирантов и специалистов в области геохимии, геологии, экологии, радиационной гигиены, а также смежных дисциплин, связанных с изучением радионуклидов в земном веществе....

Цена:
343 руб

Н. Л. Федосова, В. Е. Румянцева Химические основы полимеров и вяжущих веществ. Сборник задач и упражнений
Химические основы полимеров и вяжущих веществ. Сборник задач и упражнений
Учебное пособие содержит задачи и упражнения по всем разделам химии полимеров и вяжущих веществ, включая главы прикладного значения. В начале каждого раздела пособия дана краткая теоретическая часть, приведены примеры решения типовых задач и сами задачи.

Издание предназначено для самостоятельной работы студентов строительных специальностей всех форм обучения....

Цена:
414 руб

И. В. Боровлев Органическая химия. Термины и основные реакции
Органическая химия. Термины и основные реакции
Учебное пособие по органической химии содержит расположенные в алфавитном порядке термины, понятия и обозначений, используемые для описания молекул и процессов с их участием. Большое внимание уделено стереохимическим аспектам строения молекул, связи строения с реакционной способностью, механизмам химических реакций, в том числе именных.

Для студентов химических специальностей вузов и послевузовского самообразования....

Цена:
314 руб

Ю. С. Шабаров Органическая химия
Органическая химия
В книге рассмотрены основные классы циклических и нециклических органических соединений, их строение, свойства, получение. Теоретические представления, спектральные характеристики, вопросы стереохимии, кинетики и термодинамики, сведения о важнейших современных методах синтеза и анализа излагаются в тесной связи с обсуждаемым материалом.

Учебник предназначен для студентов химических факультетов университетов и химических вузов....

Цена:
1929 руб

В. И. Ролдугин Физикохимия поверхности
Физикохимия поверхности
Первый в мире учебник-монография по актуальной теме на стыке физической химии, физики конденсированных сред, гидродинамики и физики двумерных систем.
Рассмотрены равновесные поверхности и неравновесные процессы для всех возможных границ раздела фаз, включая электронные структуру и процессы на поверхности, пленки и прослойки, все известные виды адсорбции, динамику жидких поверхностей.
Книга представляет собой всеобъемлющую энциклопедию поверхностных явлений и является существенным вкладом в развитие физической химии.

Учебник предназначен для физических и химических факультетов университетов....

Цена:
1199 руб

А. Н. Жуков Электроповерхностные явления в капиллярных и дисперсных системах
Электроповерхностные явления в капиллярных и дисперсных системах
В данном учебном пособии рассмотрены электроповерхностные явления, которые наблюдаются в дисперсных и капиллярных системах в присутствии жидких растворов электролитов. Излагаются теоретические основы механизмов образования двойного электрического слоя на межфазной границе "твердое тело - раствор электролита", его моделей и соответствующих характеристик, а также теорий разнообразных электрокинетических явлений.

Книга предназначена для студентов и аспирантов физических, химических, геологических и биологических специальностей высших учебных заведений....

Цена:
709 руб

 Физическая и коллоидная химия. Руководство к практическим занятиям
Физическая и коллоидная химия. Руководство к практическим занятиям
Учебное пособие предназначено для методического обеспечения практической работы студентов фармацевтических вузов и фармацевтических специальностей медицинских вузов, необходимой при изучении учебной дисциплины "Физическая и коллоидная химия"....

Цена:
769 руб

Ю. Я. Харитонов Физическая химия
Физическая химия
В учебнике изложены основы физической химии в соответствии с примерной программой по дисциплине "Физическая и коллоидная химия" для специальности 060301 "Фармация".

Издание предназначено студентам высших учебных заведений, обучающихся по фармацевтическим, химическим и другим специальностям, предусматривающим изучение курса физической химии. Издание может быть также рекомендовано студентам первого года обучения медицинских вузов, а также преподавателям соответствующих кафедр....

Цена:
1319 руб

2007 Copyright © GenDNA.ru Мобильная Версия v.2015 | PeterLife и компания
Пользовательское соглашение использование материалов сайта разрешено с активной ссылкой на сайт. Партнёрская программа.
Яндекс.Метрика Яндекс цитирования